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帖子 NAND Flash價格5季來首漲,鎧俠虧損額縮小
鎧俠指出,上季NAND Flash售價(以日元計算)較上上季(2023年4-6月)揚(yáng)升5%-9%、為五季來(2022年4-6月當(dāng)季以來)首度轉(zhuǎn)為上漲;上季NAND Flash出貨量季減約10%-14%。鎧俠表示,以美元計算的售價季增0-4%。
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IC_Research ??? 2年前
NAND Flash價格5季來首漲,鎧俠虧損額縮小
帖子 NAND時代,探索基于液體的超高密度存儲器
存儲大量數(shù)據(jù)主要通過 NAND 閃存、硬盤驅(qū)動器 (HDD) 和磁帶技術(shù)完成。雖然磁帶存儲仍然僅限于長期存檔,但 HDD 和 NAND-Flash 用于在線和近線存儲應(yīng)用:它們都需要比磁帶更頻繁地訪問,訪問時間從微秒到幾秒不等。NAND-Flash 在這兩種存儲類型中提供最低的延遲和功耗。
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電子產(chǎn)品世界 ??? 3年前
后NAND時代,探索基于液體的超高密度存儲器
帖子 非易失性存儲,輝煌70年!
?? 海力士推出NAND產(chǎn)品。?? 英飛凌推出基于Saifun Charge Trap FlashNAND產(chǎn)品。?? Panasonic 和 Sanyo 推出第一款基于閃存的攝像機(jī)。?? SanDisk 推出 Flash Sansa MP3 播放器。?? 飛思卡爾(后來的 Everspin)推出了第一款商用 MRAM 非易失性存儲器。
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平頭叔 ??? 3年前
非易失性存儲,輝煌70年!
帖子 國產(chǎn)存儲芯片的發(fā)展以及重要性
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性:極速讀寫:-PCIe 接口,讀取速度達(dá) 3500 MB/s3D 堆疊技術(shù):3D NAND 技術(shù)進(jìn)一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平抗震防摔:無機(jī)械結(jié)構(gòu),采用電子芯片控制,數(shù)據(jù)更安全 存儲芯片 - PTS11,PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術(shù),搭配海康威視自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件
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如果我年少有為 ??? 3年前
國產(chǎn)存儲芯片的發(fā)展以及重要性
帖子 工控行業(yè)中應(yīng)用的國產(chǎn)存儲芯片
今天小編給大家推薦一款性價比高的國產(chǎn)存儲芯片,存儲芯片 - PTS11,PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術(shù),搭配海康威視自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件,確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。在產(chǎn)品層面,PTS11系列SSD采用高質(zhì)量的3D NAND Flash,由自動化SMT產(chǎn)線生產(chǎn),經(jīng)海康數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)測試,確保提供穩(wěn)定服務(wù)。
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如果我年少有為 ??? 3年前
工控行業(yè)中應(yīng)用的國產(chǎn)存儲芯片
帖子 芯片,全面走向3D
有業(yè)內(nèi)人士表示,三星是目前業(yè)內(nèi)僅采用單堆棧技術(shù)實現(xiàn)128層NAND Flash的廠商,采用雙堆棧技術(shù)的200+層NAND產(chǎn)品也被認(rèn)為是超高技術(shù)領(lǐng)域,技術(shù)挑戰(zhàn)也十分嚴(yán)峻。 西部數(shù)據(jù)閃存業(yè)務(wù)部門負(fù)責(zé)人、執(zhí)行副總裁Robert Soderbery在5月投資者活動日中公布了其SSD產(chǎn)品路線圖,并預(yù)言3D NAND即將進(jìn)入200+層堆疊,西部數(shù)據(jù)稱其為BiCS+。
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平頭叔 ??? 3年前
芯片,全面走向3D
帖子 常用存儲芯片-固態(tài)硬盤PTS11系列推薦
推薦產(chǎn)品:固態(tài)硬盤PTS11系列  PTS11系列SSD采用先進(jìn)的SSD主控和3D NAND Flash 技術(shù),搭配自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件,確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全,經(jīng)海康數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)測試,確保提供穩(wěn)定服務(wù);在保障高速性能的情況下,具有強(qiáng)散熱、低功耗的良好表現(xiàn),輕松滿足用戶日常各類使用所需。  
2007
工采電子 ??? 3年前
常用存儲芯片-固態(tài)硬盤PTS11系列推薦
帖子 這7類芯片價格大跳水,最高崩跌8成!
不僅如此,DRAM與NAND Flash于5月現(xiàn)貨價格也持續(xù)走跌。4、DRAM與NAND Flas出貨價持續(xù)走跌據(jù)媒體報道,受到市場通膨加劇及終端需求減弱,DRAM與NAND Flash于5月現(xiàn)貨價格持續(xù)走跌,但單月跌幅已較4月明顯趨緩,且受到PC拉貨動能降溫及下游買家?guī)齑嫣岣撸瑯?biāo)準(zhǔn)型PC DRAM合約價也呈現(xiàn)緩步下跌。
2015
芯片最前沿 ??? 3年前
這7類芯片價格大跳水,最高崩跌8成!
帖子 DRAM內(nèi)存漲勢洶洶!三星、美光醞釀提價15%-20%
存儲芯片市場以DRAM和NAND Flash為主,此前NAND Flash的價格從2023年下半年一路上漲,而DRAM報價漲幅較少,2023年12月DRAM報價僅微幅調(diào)漲2%-3%,明顯低于3D TLC NAND約10%的漲幅。
2092
IC_Research ??? 2年前
DRAM內(nèi)存漲勢洶洶!三星、美光醞釀提價15%-20%
帖子 Meta攜手SK海力士、LGD合作開發(fā)Micro OLED,發(fā)力XR市場
M14從2015年開始投入運(yùn)營,主要生產(chǎn)DRAM和NAND Flash。正在考慮生產(chǎn)Micro OLED晶圓的生產(chǎn)線是M10生產(chǎn)線,緊鄰M14。M10 于 2000 年初投入使用,是利川園區(qū)最老的產(chǎn)線,最初只生產(chǎn) DRAM,但 2019 年之后,也生產(chǎn)一部分CIS 產(chǎn)品。M10生產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn),每月可生產(chǎn)10萬張。
1994
CINNO ??? 3年前
Meta攜手SK海力士、LGD合作開發(fā)Micro OLED,發(fā)力XR市場
帖子 MCU的內(nèi)存如何影響區(qū)域和域控架構(gòu)
大多數(shù)通用 MCU使用的是Flash,其類型通常是浮柵或某種CT(charge-trap) NOR Flash。這些NVM中的大多數(shù)的讀寫速度都非常慢,甚至支持的最大頻率低于20 MHz。 對于 400MHz的CPU搭配25MHz的NVM,內(nèi)存需要大約 15 個等待狀態(tài)。
2027
駕駛哥 ??? 4年前
MCU的內(nèi)存如何影響區(qū)域和域控架構(gòu)
帖子 再分析美國“新禁令”對華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響
(2)DRAM/NAND flash、Logic先進(jìn)工藝制造廠商的設(shè)備及零部件獲取方面受限。這意味著我國存儲產(chǎn)業(yè)將遭受嚴(yán)重影響。由于存儲是標(biāo)準(zhǔn)品,在市場上比拼的是單位存儲容量的價格,先進(jìn)工藝制造的存儲芯片價格更低,存儲先進(jìn)工藝受限可能意味著先進(jìn)工藝無法升級、擴(kuò)產(chǎn),將會面臨失去市場的風(fēng)險。(3)芯片代工受限。
3491
平頭叔 ??? 3年前
再分析美國“新禁令”對華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響
帖子 MCU的內(nèi)存如何影響區(qū)域和域控架構(gòu)
大多數(shù)通用 MCU使用的是Flash,其類型通常是浮柵或某種CT(charge-trap) NOR Flash。這些NVM中的大多數(shù)的讀寫速度都非常慢,甚至支持的最大頻率低于20 MHz。對于 400MHz的CPU搭配25MHz的NVM,內(nèi)存需要大約 15 個等待狀態(tài)。因此,即使 CPU 以 400 MHz 運(yùn)行,在 CPU 執(zhí)行指令之前,需要 15 個周期才能從內(nèi)存中獲取指令。
1833
木火柴 ??? 4年前
MCU的內(nèi)存如何影響區(qū)域和域控架構(gòu)
帖子 AI智能音箱高性價比出好音質(zhì)的功放芯片
智能音箱雖然形態(tài)較小,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜,主要包括CPU處理器、DRAM芯片、NAND Flash芯片、音頻放大器(功放芯片)、藍(lán)牙模塊、電源管理芯片等是影響成本的關(guān)鍵,也是完成智能交互、智能控制、音頻播放等操作的重要電子元件。(無版權(quán)圖庫)目前AI智能音箱可以實現(xiàn)的功能主要有線有聲內(nèi)容點播,智能家居控制,語音工具助手以及傳統(tǒng)的藍(lán)牙、Wi-Fi音頻播放等幾個方向。
2050
工采電子 ??? 3年前
AI智能音箱高性價比出好音質(zhì)的功放芯片
帖子 芯片價格滑鐵盧背后
wind統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,NAND Flash市場價格在去年上半年維持上漲的趨勢,雖然去年下半年處于跌價區(qū)間,但是到了今年上半年,西部數(shù)據(jù)和鎧俠部分NAND 產(chǎn)線遭到污染,導(dǎo)致一季度產(chǎn)能受損,各大存儲廠商又開始了新一輪的漲價浪潮。
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芯電路芯資訊 ??? 3年前
芯片價格滑鐵盧背后
帖子 干貨 | 這27個電源符號,別再分不清了!
27、VCCQ,在nand flash里面會用到,比如手機(jī)常用的eMMC、UFS等存儲器,一般給IO供電。 還有其他的電源符號,歡迎小伙伴們在留言區(qū)補(bǔ)充,學(xué)起來!
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電子工程世界EEWorld ??? 4年前
干貨 | 這27個電源符號,別再分不清了!
帖子 這27個電源符號,別再分不清了!
27、VCCQ,在nand flash里面會用到,比如手機(jī)常用的eMMC、UFS等存儲器,一般給IO供電。
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電子產(chǎn)品世界 ??? 4年前
這27個電源符號,別再分不清了!
帖子 光刻技術(shù)第9期 | 二維與三維矢量成像模型對比-含相差物鏡的應(yīng)用
01/簡介零波像差雙遠(yuǎn)心物鏡以“視場全域波前畸變趨近于零、物像比例恒定”的特性,成為3D NAND、精密微納制造等場景的核心光學(xué)器件,但其對成像模型的維度適配性提出嚴(yán)苛要求。二維矢量成像模型雖能滿足平面圖形的偏振態(tài)表征需求,卻因忽略深度方向光場耦合與厚掩模衍射效應(yīng),無法適配三維堆疊圖形的成像預(yù)測。
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武漢二元 ??? 4月前
光刻技術(shù)第9期 | 二維與三維矢量成像模型對比-含相差物鏡的應(yīng)用
帖子 淺談單片機(jī)選型,別讓你的項目毀在選型上!
(12)仿真器便宜。對于FLASH型單片機(jī),仿真器不是必備的。但是對于OTP(一次性可編程)型單片機(jī),必須購買或者租用仿真器。(13)單片機(jī)語言是自己熟悉的,并且能支持C語言。編程環(huán)境要像keil一樣好用,并且還是免費的。(14)網(wǎng)站速度快,資料豐富,包括芯片手冊、應(yīng)用指南、設(shè)計方案、范例程序,最好有中文,像Atmel就不錯。(15)保密性能好。
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電子產(chǎn)品世界 ??? 4年前
淺談單片機(jī)選型,別讓你的項目毀在選型上!
帖子 美國BIS新政甫出,半導(dǎo)體設(shè)備廠商的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)
BIS這項新的半導(dǎo)體出口限制政策,涉及18nm制程DRAM、128層NAND Flash存儲芯片、16/14nm邏輯芯片的中國本土制造企業(yè)將受到影響,成熟制程28nm及以上的中國本土制造企業(yè)則暫無影響。
1946
CINNO ??? 3年前
美國BIS新政甫出,半導(dǎo)體設(shè)備廠商的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)
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